ICパッケージ

LPKFは、数十年にわたるレーザー加工の経験に支えられ、より高い精度と歩留まり、コスト効率などの利点を備えた最先端のソリューションを提供し、小型化への継続的なトレンドをサポートしています。LPKFの革新的な技術が詰めこまれた半導体産業向けソリューション：ガラス貫通ビア（TGV）を製造する新技術は薄いガラス基板の可能性を最大限に引き出します。エポキシモールドコンパウンド（EMC）およびスルーモールドビア（TMV）を使用した半導体パッケージ上への回路作成により、新しいパッケージ設計アプローチが可能になりました。また、幅広い材料へのレーザー切断と穴あけが可能です。レーザー加工はいまやミクロンスケールのアプリケーションにおいてなくてはならないものとなっています。

多くの場合、ICの性能はICパッケージによって制限されているため、これまでにICパッケージング技術を改善することに多くの労力が払われてきました。エポキシモールドコンパウンド（EMC）に対する レーザーダイレクトストラクチャリング (LDS) 技術は、ICパッケージの機能性を向上させる革新的なアイディアです。アプリケーションとしては、5GHz以上のアンテナ・オン・パッケージ（AoP）、パッケージ高さを削減するパッケージオンパッケージ（PoP）、およびEMIシールドなどがあります。パッケージの外側表面や壁面を回路基材として使用でき、スルーホールめっきを低コストかつ安全な方法で作成できます。LDSは、レーザーによりプラスチック筐体に配線パターンを直接描画し、その後にめっきすることでレーザー描画部分のみ金属層が形成される方法です。

LDSは、成形およびレーザープロセス中に接点を形成するため、従来の接点作成プロセスを変更する可能性を持っています。接点と配線は同じ工程で形成されます。レーザーパスを変更することで回路レイアウトの変更が簡単にできます。LPKF LDSテクノロジーによって、センサーおよびチップパッケージのプラットフォーム戦略がさらに広がります。

さらなる小型化とシステム統合への絶え間ない取り組みは、低コストの可能性がある3Dパッケージのような新しいパッケージング技術の必要性に通じています。

部品内蔵パッケージにおけるスルーモールドビア（TMV）へのLDS（レーザーダイレクトストラクチャリング）技術の適用は、高機能統合に焦点を当てた大量生産のメカトロニクス統合デバイス（MID）製造技術が基礎になっています。LDS用レーザー装置によりビア作成とパターニングを同時に行うことができます。

ICパッケージに使用される封止材料は非常に重要です。それらの物理的、電気的、および化学的特性は、パッケージを構築し、最終的にはその性能の限界を決定します。LPKFのアプリケーションおよび開発チームは、エレクトロニクス産業で使用される有機基板および無機基板のレーザー穴あけ、および切断についての知識と経験があります。電子産業のニーズに合わせて特別に調整されたレーザーシステムは、さまざまなIC封止材を切断、開口、穴あけをすることが可能です。

• きりしろが非常に少ない任意形状のカット
• きれいな切断面
• バリなし
• 熱影響小（HAZ）
• 高い位置決め精度

当社のエンジニアは、評価段階、量産計画および量産中のサポートも喜んでお引き受けします。どのようなお手伝いができるかについては詳細をご覧ください。