半導体封止材料（EMC）を最大限有効活用できます。
パッケージコストの削減
従来のインターポーザーを用いたビルドアップ技術と比較して
パッケージオンパッケージ(PoP)の最大30％コスト削減が可能です。
放熱性の改善
熱伝導性半導体封止樹脂（≈4W/ mK）と比較して、最大10倍の放熱性能（≈400W/ mK）。
パッケージフットプリントの減少
従来のTMV穴あけおよび銅ペースト印刷と比較して、
ビア径、スペース、パッド、環状リングを最大50％削減。
パッケージ寿命の改善
従来のワイヤボンディングのせん断応力分布と比較して、
はんだ接合の信頼性が最大50％向上。
半導体封止樹脂（EMC）の成形
特許取得済のレーザーダイレクトストラクチャリング（LDS）技術向けに設計された新しいエポキシモールドコンパウンドの開発
EMCは、さまざまなサプライヤからペレットもしくはタブレット形状で入手できます
リードフレームおよび基板アプリケーション向け
理論上、既存のコンパウンドをレーザーダイレクトストラクチャリング(LDS)およびめっきプロセスに適用できると考えられます
LPKFレーザー装置を使用したレーザーダイレクトストラクチャリング（LDS）
- ライン/スペース：25 μm/25 μm
- アスペクト比1:10
- パターン加工とビア加工を一工程で
- 生産を完全自動化
ダイレクト銅めっき
- レーザーダイレクトストラクチャリング(LDS)技術により、直接無電解銅めっきをすることができます
- その後の化学銅めっき工程による数10ミクロンの銅厚形成
- 表面仕上げの選択。 無電解ニッケル、置換金めっき（「ENIG」）が利用可能
- 1：1（ブラインドビア）から1:10（スルーモールドビア）までの高アスペクトなめっきに対応
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ガラス基板アプリケーション -- 専任のエンジニアと研究者のチームによって開発された 薄ガラス基板アプリケーションの最先端加工技術 をご利用いただけます。
