Herstellung eines leiterplattenintegrierten Halbbrückenmoduls

Ein Anwendungsbericht von Mitarbeitern der Hochschule Kempten beschreibt die Herstellung einer leistungselektronischen Schaltung mit leiterplattenintegrierten MOSFET-Chips. Für die gesamte Fertigung kommt Prototyping-Equipment im Labormaßstab zum Einsatz.

Das Einbetten von Leistungshalbleiter-Bauelementen in Leiterplatten wird bereits seit mehreren Jahren erforscht. Bei dieser Technologie wird die Leiterplatte um einen gehäuselosen Halbleiterchip herum aufgebaut. Gegenüber konventionellen Methoden, bei denen die Halbleiter im Gehäuse auf eine Leiterplatte gelötet werden, die nur als Schaltungsträger dient, bietet das Einbetten von Leistungshalbleitern (wie MOSFET oder IGBT) viele Vorteile.

Diese Technologie ist heute nur bei wenigen spezialisierten Leiterplattenherstellern verfügbar, die die Produktion ausschließlich für Großserienanwendungen anbieten. In diesem Anwendungsbericht, der kostenlos im LPKF Knowledge Center erhältlich ist, wird eine Demonstrator-Leiterplatte mit einer eingebetteten MOSFET-Halbbrücke entwickelt, hergestellt und getestet.

 

Anwenderbericht 'Herstellung eines leiterplattenintegrierten Halbbrückenmoduls'